PM75DSA120-1
Artikelnummer PM75DSA120-1
Hersteller Mitsubishi
Beschreibung IGBT Modules
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Hersteller-Teilenummer PM75DSA120-1 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Mitsubishi Electric Semiconductor Beschreibung IGBT Modules
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Produktmodell

PM75DSA120-1

Einführung

IGBT-Modul konzipiert für hocheffiziente, hochgeschwindigkeits Leistungsumschaltanwendungen

Marke und Hersteller

Mitsubishi Electric Semiconductor

Merkmale

Integrierte Gate-Ansteuerschaltung, geringer Energieverlust, hohe Schaltgeschwindigkeit, integrierter Temperatursensor

Produktleistung

Hohe thermische Leistung mit optimaler Wärmeabfuhr, in der Lage, hohe Stromlasten effizient zu bewältigen, geringer Spannungsabfall im Betrieb

Technische Spezifikationen

Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V, Kollektorstrom: 75A, Gate-Emitter-Spannung: ±20V, Leistungsabgabe: 390W

Abmessungen, Form und Verpackung

Rechteckiges Modul, verpackt in einem Standardmodulgehäuse, Abmessungen: 108 mm x 62 mm x 30 mm

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Zuverlässigkeit unter industriellen Betriebsbedingungen, entwickelt für robuste Leistung in Hochtemperaturumgebungen

Produktvorteile

Verbesserte Langlebigkeit für langfristige Anwendungen, energieeffizientes Design senkt Betriebskosten

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Überlegene Leistung im Vergleich zu Standardtransistoren, wettbewerbsfähiger Preis im Segment der IGBT-Module

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-Gate-Ansteuerschaltungen, entworfen für nahtlose Integration in bestehende Leistungssysteme

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Sicherheits- und Qualitätsstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für eine lange Betriebsdauer mit minimaler Abnutzung, umweltfreundliche Materialien werden verwendet

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verwendet in Antrieben elektrischer Fahrzeuge, geeignet für erneuerbare Energiesysteme wie Solarwechselrichter, angewendet in industriellen Motorantrieben und Energiemanagementsystemen

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